Технология и качество интегральных индукторов — часть 2.

Формованная СилаИндукторыВ сочетании с новейшими данными о технологиях отрасли и контрольными точками качества, это руководство охватывает широкий спектр информации, от основных принципов и технологических процессов до фактического выбора и предотвращения ошибок, что позволяет принимать более взвешенные решения при проектировании источников питания. Продолжим обсуждение из предыдущей статьи (в прошлый раз мы обсуждали 6 вопросов).

 

7. Что такое «разрушение из-за недостаточной устойчивости к давлению»? (Это серьезная проблема при выборе!)

Это легко упускаемый из виду «скрытый ловушка». Между сердечниками из железного порошка внутри цельнолитой конструкции находится изолирующий слой.индуктор.
* Проблема: В условиях длительной эксплуатации при высоком напряжении и высокой частоте, если прочность изоляции недостаточна, изоляционный слой между сердечниками из железного порошка может быть поврежден.
* Следствие: Это эквивалентно параллельному подключению резистора.индукторчто приводит к резкому увеличению потерь в сердечнике, сильному нагреву и даже выгоранию микросхемы.
*Избегайте ошибок: В приложениях, где входное напряжение превышает 50 В, всегда проверяйте номинальное напряжение устройства.индукторУточняйте у производителя, а не только значение индуктивности.

8. Что такое ISAT и IRMS? Какой из них следует учитывать при отборе?

Вот два ключевых параметра текущего состояния:
* Isat (ток насыщения): ток, при котором индуктивность падает до определенной величины (например, 30%). Превышение этого значения приводит к резкому снижению способности индуктора накапливать энергию, что потенциально может вызвать нестабильность в цепи питания.
* Среднеквадратичное значение тока (RMS): ток, при котором повышение температуры поверхности индуктора достигает заданного значения (например, 40°C), в основном определяемого потерями в меди (сопротивление постоянному току).
* Принцип: При выборе оба параметра должны соответствовать требованиям схемы.

9. Всегда ли более низкое сопротивление постоянному току (DCR) лучше?

Да. Чем ниже сопротивление постоянному току (DCR), тем меньше потери в меди, тем выше эффективность преобразования энергии и тем меньше повышение температуры. Однако при том же объеме стремление к чрезвычайно низкому сопротивлению постоянному току обычно означает уменьшение индуктивности, что требует компромисса в зависимости от конкретного сценария применения (будь то приоритет высокой эффективности или большого объема накопленной энергии).

10. Как оценить качествоиндуктор ?

Предварительное решение может быть принято на основании следующих пунктов:
*Внешний вид: Поверхность должна быть ровной и гладкой, без заусенцев и трещин, а покрытие штифтов должно быть блестящим.
*Прочность контактов: Припаянные клеммы должны быть прочными и не ломаться.
*Сопротивление припою: После пайки оплавлением на корпусе не должно быть заметных изменений цвета или трещин.

11. Почему возможна интеграция?индукторыСделать меньше и тоньше?

А: Благодаря технологии порошковой металлургии, в отличие от традиционных индукторов, не требуется наличие зазоров для сборки магнитного сердечника, а структура более компактна. В настоящее время технология позволяет создавать сверхтонкие изделия толщиной менее 0,5 мм, что очень подходит для мобильных телефонов и носимых устройств.

12. Что представляет собой процесс «Т-ядра»?

Это передовая структурная технология, которая оптимизирует распределение магнитной цепи с помощью специальных форм и методов намотки, что дополнительно снижает потери и улучшает высокочастотные характеристики и эффективность теплоотвода.

13. Не заржавеет ли встроенный индуктор?

В качестве сырья в основном используются металлические порошки. Если изоляционное покрытие (например, эпоксидная смола) наносится на поверхность изделия неравномерно или повреждено, существует риск окисления и ржавления в условиях высокой влажности и воздействия солевого тумана. Высококачественная полностью автоматическая технология распыления может эффективно предотвратить эту проблему.

технологии и качество для интегральных индукторов


Дата публикации: 02.02.2026